MEMORIA RAM
¿ Qué es... la memoria RAM?
Ø La memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el computador guarda los datos que está utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.
Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamente
Físicamente, están constituidas por un conjunto de chips o módulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre. Los chips de memoria son rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos:
La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es mucho más rápida, y que se borra al apagar el computador, no como los Disquetes o discos duros en donde la información permanece grabada.
Ø Tiempo de refresco o latencia :
Hay diversos tipos de tazas de refresco, pues cada chip que está integrado a la memoria tiene distintos pines, y cada uno (o cada grupo mejor dicho) cumple una función de I/O (Input/Output o Entrada/Salida en castellano) diferente, y en torno a éstas se determina una lectura/escritura más eficiente en la memoria.
La RAM se organiza en forma de matriz de filas "rows" y columnas "columns", que a su vez se agrupan en bancos "banks"... es decir es una matriz de 3 dimensiones, de filas y columnas dentro de bancos.
Cuando se solicita un dato dentro de la memoria hay q darle la dirección donde se contiene, se hará especificando el banco. Dentro de él la fila, y a su vez la columna dentro de la fila.
Es decir no se lee solo una posición sino ráfagas enteras, para ello se mantiene fija la fila y el banco se va cambiando de columna para ir avanzando (si se llegase al final de fila, habría que cambiar a la siguiente, si se llegase al final de banco también habría q cambiar al siguiente). Así hasta finalizar la lectura del "burst" de datos q interesa.
La RAM se organiza en forma de matriz de filas "rows" y columnas "columns", que a su vez se agrupan en bancos "banks"... es decir es una matriz de 3 dimensiones, de filas y columnas dentro de bancos.
Cuando se solicita un dato dentro de la memoria hay q darle la dirección donde se contiene, se hará especificando el banco. Dentro de él la fila, y a su vez la columna dentro de la fila.
Es decir no se lee solo una posición sino ráfagas enteras, para ello se mantiene fija la fila y el banco se va cambiando de columna para ir avanzando (si se llegase al final de fila, habría que cambiar a la siguiente, si se llegase al final de banco también habría q cambiar al siguiente). Así hasta finalizar la lectura del "burst" de datos q interesa.
El direccionamiento ser realiza mediante varias señales:
-Señal "ACTIVE": establece un banco de memoria como activo, tiene una duración mínima en ciclos.
Hasta que no concluyan los ciclos mínimos de la señal ACTIVE, no puede lanzarse una señal PRECHARGE para cerrar ese banco.
Hay q tener en cuenta que mientras un banco permanece activo está "bloqueado" para esa lectura/escritura, antes de poder volver a utilizarlo en otra lectura/escritura diferente hay que cerrarlo.
-Señal "RAS": Row Access Strobe, establece una fila dentro de un banco activo como seleccionada, esta señal consume varios ciclos para localizar la fila necesaria.
-Señal "CAS": Column Access Strobe, establece una columna dentro de una fila como seleccionada, esta señal consume varios ciclos para localizar la columna necesaria.
-Señal "PRECHARGE": cierra un banco de memoria activo, dejándolo libre para realizar sobre él otra lectura/escritura (lanzando otra señal ACTIVE con dirección a ese banco), consume un número de ciclos para realizar el cierre.
-Señal "ACTIVE": establece un banco de memoria como activo, tiene una duración mínima en ciclos.
Hasta que no concluyan los ciclos mínimos de la señal ACTIVE, no puede lanzarse una señal PRECHARGE para cerrar ese banco.
Hay q tener en cuenta que mientras un banco permanece activo está "bloqueado" para esa lectura/escritura, antes de poder volver a utilizarlo en otra lectura/escritura diferente hay que cerrarlo.
-Señal "RAS": Row Access Strobe, establece una fila dentro de un banco activo como seleccionada, esta señal consume varios ciclos para localizar la fila necesaria.
-Señal "CAS": Column Access Strobe, establece una columna dentro de una fila como seleccionada, esta señal consume varios ciclos para localizar la columna necesaria.
-Señal "PRECHARGE": cierra un banco de memoria activo, dejándolo libre para realizar sobre él otra lectura/escritura (lanzando otra señal ACTIVE con dirección a ese banco), consume un número de ciclos para realizar el cierre.
Ø Tiempo de acceso:
La memoria de acceso aleatorio consta de cientos de miles de pequeños capacitadores que almacenan cargas. Al cargarse, el estado lógico del capacitador es igual a 1; en el caso contrario, es igual a 0, lo que implica que cada capacitador representa un bit de memoria.
Teniendo en cuenta que se descargan, los capacitadores deben cargarse constantemente (el término exacto es actualizar) a intervalos regulares, lo que se denomina ciclo de actualización. Las memorias DRAM, por ejemplo, requieren ciclos de actualización de unos 15 nanosegundos (ns).
Cada capacitador está acoplado a un transistor (tipo MOS), lo cual posibilita la "recuperación" o modificación del estado del capacitador. Estos transistores están dispuestos en forma de tabla (matriz), de modo que se accede a la caja de memoria (también llamada punto de memoria) mediante una línea y una columna.
Ø Buffer de datos y paridad:
-Buffer de datos
Un buffer (o búfer) en informática es un espacio de memoria, en el que se almacenan datos para evitar que el programa o recurso que los requiere, ya sea hardware o software, se quede en algún momento sin datos.
Algunos ejemplos de aplicaciones de buffers son:
- El buffer de teclado es una memoria intermedia en la que se van almacenando los caracteres que un usuario teclea, los cuales son tratados por el computador a penas se libere un recurso.
- En Audio o video en streaming por Internet. Se tiene un buffer para que haya menos posibilidades de que se corte la reproducción cuando se reduzca o corte el ancho de banda.
- Un buffer adecuado permite que en el salto entre dos canciones no haya una pausa molesta.
- Las grabadoras de CD o DVD, tienen un buffer para que no se pare la grabación. Hoy en día hay sistemas para retomar la grabación pero antes suponía que el CD no quedaba bien grabado y muchas veces era inservible.
El concepto del buffer es similar al de caché. Pero en el caso del buffer, los datos que se introducen siempre van a ser utilizados. En la caché sin embargo, no hay seguridad, sino una mayor probabilidad de utilización.
Para explicar la acepción informática a gente no técnica, se puede usar esta metáfora: Un buffer es como tener dinero en el banco (buffer), un trabajo (entrada) y unos gastos fijos (salida). Si tienes un trabajo inestable, mientras tengas ciertos ahorros, puedes mantener tus gastos fijos sin problemas, e ir ingresando dinero cuando puedas según vas trabajando. Si los ahorros son pequeños, en seguida que no tengas trabajo, no vas a poder acometer los gastos fijos. De la misma forma si escuchas música en Internet y tu programa de audio usa un buffer pequeño, en cuanto que haya alguna interrupción en la descarga (porque las descargas nunca tienen una velocidad constante), notarás cortes de sonido, ya que faltará información.
Estrutuctura Fisica De La Memoria
Desde el punto de vista lógico, la memoria RAM puede considerarse como una serie de varios miles (o millones) de bits que pueden ser accedidos para lectura y escritura en grupos de 8 (en Bytes) mediante una dirección. Pero hay dos aspectos que pueden interesar al programador: uno se refiere a como se guardan algunos datos; otro es relativo a como se almacenan los ejecutables.
Memoria ram volatil y aleatoria:
Originalmente también se les solía denominar memorias cientificas(de ahí RAM o Random Access Memory, memorias de acceso aleatorio). Aunque este nombre no le es el más apropiado ya que hoy en día todas las memorias en PC, sean volátiles o no como por ejemplo los discos duros, disquetes y demás dispositivos de almacenamiento disponen de un sistema de acceso al dato aleatorio, ya que en caso de disponer de un sistema de acceso secuencial éste tardaría mucho en cargar datos.
La memoria de acceso aleatorio (en inglés: random-access memory, cuyo acrónimo es RAM) es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.
Almacenamiento de informacion en la ram:
Los chips de memoria son pequeños rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es muchísimo más rápida, y que se borra al apagar el ordenador, no como éstos.
El interior de cada chip se puede imaginar como una matriz o tabla en la cual cada celda es capaz de almacenar un bit. Por tanto, un bit se puede localizar directamente proporcionando una fila y una columna de la tabla. En realidad, la CPU identifica cada celda mediante un número, denominado dirección de memoria. A partir de una dirección se calcula cuál es la fila y columna correspondiente, con lo que ya se puede acceder a la celda deseada. El acceso se realiza en dos pasos: primero se comunica la fila y después la columna empleando los mismos terminales de conexión. Obviamente, esta técnica –denominada multiplexado– permite emplear menos terminales de conexión para acceder a la RAM, lo que optimiza la relación entre el tamaño del chip y la capacidad de almacenamiento.
Realmente, la CPU no suele trabajar con bits independientes, sino más bien con agrupaciones de los mismos, en forma de palabras binarias. Esto hace que la RAM no se presente en un solo chip, sino más bien en agrupaciones de los mismos. Por ejemplo, un grupo de 8 chips, cada uno capaz de almacenas x bits, proporcionará en conjunto x Kb.
La memoria no deja de ser un circuito electrónico real, y por tanto está expuesta a efectos que pueden producir errores en su contenido. En otras palabras, tras escribir una palabra en una posición de memoria es perfectamente posible que algún bit cambie de estado durante el tiempo que permanezca almacenada. Si se accede de nuevo a la memoria para leer dicha palabra se recuperará información errónea y esto puede acarrear todo tipo de consecuencias. Para ello se suelen emplear dos soluciones: la paridad y la técnica ECC (Error Correction Code). El elemento que implementa estos métodos se encuentra en el interior del PC y recibe el nombre de controlador de memoria
Ø Tipos de RAM:
Memorias Sincronadas
SDR SDRAM
PC66
PC100
PC133
Memorias Asincronadas
DRAM
FPM-RAM
EDO-RAM
BEDO-RAM
Modulos De Memoria Ram
· SIMM :Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.
El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de largo y usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el más frecuente.
Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los ocho primeros son para datos y el noveno es para el chequeo de paridad.
· DIP :Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.
· SIPP es el acrónimo inglés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple) y consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporcionan 4 bits por módulo. Se usó en sistemas 80286 y ha sido reemplazada por la SIMM, que es más fácil de instalar y proporciona 16 bits por módulo.
· RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR
Modulos De Ram Para Portatiles
SO-DIMM as memorias 'SO-DIMM' (Small Outline DIMM) consisten en una versión compacta de los módulos DIMM convencionales, cuentan con 144 contactos y tienen un tamaño de aproximadamente la mitad de un módulo SIMM. Debido a su tamaño tan compacto, estos módulos de memoria suelen emplearse en laptops, PDAs y notebooks, aunque han comenzado a sustituir a los SIMM/DIMM en impresoras de gama alta y tamaño reducido y en equipos de sobremesa y terminales ultracompactos (basados en placa base Mini-ITX).Los módulos SO-DIMM tienen 100, 144 ó 200 pines. Los de 100 pines soportan transferencias de datos de 32 bits, mientras que los de 144 y 200 lo hacen a 64 bits. Estas últimas se comparan con los DIMM de 168 pines (que también realizan transferencias de 64 bits). A simple vista se diferencian porque las de 100 tienen 2 hendiduras guía, las de 144 una sola hendidura casi en el centro y las de 200 una hendidura parecida a la de 144 pero más desplazada hacia un extremo.
Los SO-DIMM tienen más o menos las mismas características en voltaje y potencia que las DIMM corrientes, utilizando además los mismos avances en la tecnología de memorias (por ejemplo existen DIMM y SO-DIMM con memoria PC2-5300 (DDR2.533/667) con capacidades de hasta 2 GB y Latencia CAS (de 2.0, 2.5 y 3.0).
Asimismo se han desarrollado ordenadores en una sola placa SO-DIMM como el Toradex Colibri (basado en CPU Intel XScale y Windows CE 5.0).
MICRO-DIMM
Memoria RAM 1GB micro-DIMM para portátil (23-10-2004, salvadorp - )
La marca Swissbit lanza al mercado el primer módulo de memoria RAM para portátil con una capacidad de 1GB, algo casi impensable hasta hace poco, debido a las tecnologías existentes. Gracias a una revolucionaria técnica impulsada por Swissbit y desarrollada por sus ingenieros, en colaboración con Swissbit Germany AG, se hace realidad este proyecto, que en un futuro próximo proveerá de mayor cantidad de memoria los portátiles de muchos profesionales en diferentes sectores que requieran un gran consumo de RAM, como son por ejemplo, los que se dedican, tanto a la edición de audio, como de vídeo. |
SO-RIMM:
El SORIMM es un subsistema de memoria de uso general y de alto rendimiento, aplicable para un amplio rango de aplicaciónes incluyendo memoria de computadoras, computadoras móviles "delgadas y livianas", sistemas de redes y otras aplicaciones donde se requiera anchura de banda alta y baja latencia.
Módulo de Continuidad SORIMM
El módulo de continuidad SORIMM es un módulo en blanco diseñado para ser insertado en cualquier conexión SORIMM sin uso en un subsistema de memoria Rambus. No existen componentes activos en el módulo de continuidad. El módulo de continuidad se utiliza para conectar trazos de la señal del Canal Rambus a través de conectores SORIMM sin uso, de tal manera que las señales Rambus terminen adecuadamente en la placa matriz.
Módulo de Continuidad SORIMM
El módulo de continuidad SORIMM es un módulo en blanco diseñado para ser insertado en cualquier conexión SORIMM sin uso en un subsistema de memoria Rambus. No existen componentes activos en el módulo de continuidad. El módulo de continuidad se utiliza para conectar trazos de la señal del Canal Rambus a través de conectores SORIMM sin uso, de tal manera que las señales Rambus terminen adecuadamente en la placa matriz.
MEMORIAS ASINCRONADAS
Dynamic Random Access Memory – Memoria dinámica de acceso
aleatorio. Usada en PC como el 386 su velocidad de refrescamiento típica es de 80 ó 70 nanosegundos. Físicamente aparece en forma de DIMMs o de SIMMs. Opera de la siguiente manera, las posiciones de memoria están organizadas en filas y columnas. Cuando accedemos a la memoria empezamos especificando la fila, después la columna y por último decimos si deseamos escribir o leer en esa posición. En ese momento la memoria coloca los datos de esa posición en la salida si el acceso es de lectura o toma los datos y los almacena en la posición seleccionada si el acceso es de escritura.
FPM-RAM:
Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más. FPM DRAM y pueden tener 30 o 72 pines y se la utiliza en las Pentium I lo que logro con esta tecnología es agilizar el proceso de lectura, estas memorias ya no se utilizan mas.
EDO-RAM:
Estas memorias aparecieron en el 95, y se hicieron muy populares ya que estaban presentes en todas las Pentium I MMX y tenia la posibilidad de localizar un dato mientras transfería otro de diferencia de las anteriores que mientras transfería un dato se bloqueaba.Estas EDO SIMM eran de 72 pines
Nombre - Arquitectura - Pines - Capacidad - Velocidad
Edo Ram - Simm - 32 bits - 72 - 128Mb - 20 50Mhz
BEDO-RAM:
Burst Extended Data Ouput Memory Random Access – Es una evolución de la EDO RAM la cual compite con la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera
del procesador En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP,
590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima los 66MHZ
MEMORIAS SINCRONAS
SDR SDRAM:
Originalmente conocido simplemente como SDRAM, SDRAM tipo de datos solo puede aceptar un comando y la transferencia de una palabra de datos por ciclo de reloj. Las frecuencias de reloj típicas son 100 y 133 MHz. Chips están hechos con una variedad de tamaños de bus de datos (el más común 4, 8 ó 16 bits), pero los chips son generalmente montados en módulos DIMMs de 168-pines que leen o escriben 64 (non-ECC) o 72 (ECC) de bits a la vez.
El uso del bus de datos es complejo y requiere un controlador de memoria DRAM complejo. Esto es porque los datos escritos en la memoria DRAM deben ser presentadas en el mismo ciclo que escribir un comando, pero lee producir una salida de 2 o 3 ciclos después de que el comando de lectura. El controlador de memoria DRAM debe asegurarse de que el bus de datos nunca se requiere de una escritura y lectura, al mismo tiempo.
Típico SDRAM SDR velocidades de reloj de 66, 100 y 133 MHz (períodos de 15, 10, y el 7,5 ns). Frecuencias de reloj de hasta 150 MHz estaban disponibles para los entusiastas del rendimiento.
PC66:
PC66 consulta interna estándar de memoria extraíble equipo definido por la JEDEC. PC66 es síncrono DRAM de funcionamiento a una frecuencia de reloj de 66,66 MHz, en un bus de 64 bits, a una tensión de 3,3 V. 66 PC está disponible en el pin DIMM de 168 pines y 144 factores de forma SO-DIMM. El ancho de banda teórico es 533 MB / s.
Esta norma fue utilizada por Intel ® Pentium ® y PC AMD K6-basado. También incluye en el Power Mac G3 Beige, iBooks temprana y PowerBook G3. También se utiliza en muchos de los primeros sistemas Intel Celeron con un FSB de 66 MHz.
Fue reemplazado por el PC100 y PC133 normas.
PC100:
PC100 es un estándar para acceder a la memoria interna extraíble equipo al azar, definidos por el Joint Electron dispositivo Consejo de Ingeniería (JEDEC). PC100 consulta DRAM síncrona de funcionamiento a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC 100 está disponible en módulos DIMM de 168 pines y 144 pines factores de forma SO-DIMM. PC100 es compatible con PC66.
Un módulo de construcción de 100 chips SDRAM MHz no es necesariamente capaz de funcionar a 100 MHz. El estándar PC100 especifica las capacidades del módulo de memoria en su conjunto. PC100 se utiliza en muchos ordenadores más antiguos; ordenadores de todo el decenio de 2000 fueron los equipos más comunes con la memoria PC100.
PC133:
PC133 es un estándar de memoria del equipo definido por la JEDEC. PC133 consulta DRAM síncrona de funcionamiento a una frecuencia de reloj de 133 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC 133 está disponible en el pin DIMM de 168 pines y 144 factores de forma SO-DIMM. PC133 SDRAM es el estándar más rápido y última vez aprobado por el JEDEC, y ofrece un ancho de banda de 1066 MB por segundo ([133,33 MHz * 64 / 8] = 1066 MB / s). PC133 es compatible con PC100 y PC66.
DDR-SDRAM
PC1600:
En comparación con la tarifa de datos única de giro (DEG), SDRAM, DDR SDRAM de la interfaz permite mayor velocidad de transferencia posible gracias a un control más estricto del calendario de los datos eléctricos y las señales del reloj. Las puestas en práctica a menudo se han de utilizar estos sistemas de eliminación de bucles bloqueado y uno mismo-calibración para llegar a la exactitud de la sincronización necesaria. [1] [2] La interfaz utiliza el doble de bombeo (la transferencia de datos tanto en los bordes de levantamiento y la caída de la señal de reloj) para reducir la frecuencia de reloj. Una de las ventajas de mantener la frecuencia de reloj de abajo es que reduce los requisitos de integridad de la señal en el tablero de circuito que conecta la memoria al controlador. El nombre de "doble velocidad de datos"se refiere al hecho de que una DDR SDRAM con una frecuencia de reloj determinada alcanza casi el doble del ancho de banda de una sola velocidad de datos (DEG) SDRAM funciona a la misma frecuencia de reloj, debido a esta doble extracción.
Con datos que se transfieren 64 bits a la vez, DDR SDRAM da una velocidad de transferencia de (bus de memoria de frecuencia de reloj) × 2 (de tipo doble) x 64 (número de bits transferidos) / 8 (número de bits / byte). Así, con una frecuencia de bus de 100 MHz, memoria SDRAM DDR ofrece una velocidad de transferencia máxima de 1600 MB / s.
"A partir de 1996 y concluir en junio de 2000, desarrolló el JEDEC DDR (Double Data Rate) Especificación de SDRAM (JESD79)." [3] JEDEC ha establecido normas para velocidades de datos de DDR SDRAM, dividido en dos partes. La primera especificación es para los chips de memoria, y el segundo es para los módulos de memoria
Chips y Módulos:
Nombre estándar | Velocidad del reloj | Tiempo entre señales | Velocidad del reloj de E/S | Datos transferidos por segundo | Nombre del módulo | Máxima capacidad de transferencia |
DDR-200 | 100 MHz | 10 ns | 100 MHz | 200 millones | PC1600 | 1600 MB/s |
DDR-266 | 133 MHz | 7,5 ns | 133 MHz | 266 millones | PC2100 | 2133 MB/s |
DDR-300 | 150 MHz | -ns | 150 MHz | 300 millones | PC2400 | 2400 MB/s |
DDR-333 | 166 MHz | 6 ns | 166 MHz | 333 millones | PC2700 | 2667 MB/s |
DDR-366 | 183 MHz | 5,5 ns | 183 MHz | 366 millones | PC3000 | 2933 MB/s |
DDR-400 | 200 MHz | 5 ns | 200 MHz | 400 millones | PC3200 | 3200 MB/s |
DDR-433 | 216 MHz | 4,6 ns | 216 MHz | 433 Millones | PC3500 | 3500 MB/s |
DDR-466 | 233 MHz | 4,2 ns | 233 MHz | 466 millones | PC3700 | 3700 MB/s |
DDR-500 | 250 MHz | 4 ns | 250 MHz | 500 millones | PC4000 | 4000 MB/s |
DDR-533 | 266 MHz | 3,7 ns | 266 MHz | 533 millones | PC4300 | 4264 MB/s |
DDR2-400 | 100 MHz | 10 ns | 200 MHz | 400 millones | PC2-3200 | 3200 MB/s |
DDR2-533 | 133 MHz | 7,5 ns | 266 MHz | 533 millones | PC2-4300 | 4264 MB/s |
DDR2-600 | 150 MHz | 6,7 ns | 300 MHz | 600 millones | PC2-4800 | 4800 MB/s |
DDR2-667 | 166 MHz | 6 ns | 333 MHz | 667 millones | PC2-5300 | 5336 MB/s |
DDR2-800 | 200 MHz | 5 ns | 400 MHz | 800 millones | PC2-6400 | 6400 MB/s |
DDR2-1000 | 250 MHz | 3,75 ns | 500 MHz | 1000 millones | PC2-8000 | 8000 MB/s |
DDR2-1066 | 266 MHz | 3,75 ns | 533 MHz | 1066 millones | PC2-8500 | 8530 MB/s |
DDR2-1150 | 286 MHz | 3,5 ns | 575 MHz | 1150 millones | PC2-9200 | 9200 MB/s |
DDR2-1200 | 300 MHz | 3,3 ns | 600 MHz | 1200 millones | PC2-9600 | 9600 MB/s |
DDR3-1066 | 133 MHz | 7,5 ns | 533 MHz | 1066 millones | PC3-8500 | 8530 MB/s |
DDR3-1200 | 150 MHz | 6,7 ns | 600 MHz | 1200 millones | PC3-9600 | 9600 MB/s |
DDR3-1333 | 166 MHz | 6 ns | 667 MHz | 1333 millones | PC3-10667 | 10664 MB/s |
DDR3-1375 | 170 MHz | 5,9 ns | 688 MHz | 1375 millones | PC3-11000 | 11000 MB/s |
DDR3-1466 | 183 MHz | 5,5 ns | 733 MHz | 1466 millones | PC3-11700 | 11700 MB/s |
DDR3-1600 | 200 MHz | 5 ns | 800 MHz | 1600 millones | PC3-12800 | 12800 MB/s |
DDR3-1866 | 233 MHz | 4,3 ns | 933 MHz | 1866 millones | PC3-14900 | 14930 MB/s |
DDR3-2000 | 250 MHz | 4 ns | 1000 MHz | 2000 millones | PC3-16000 | 16000 MB/s |
No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado (underclock) o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado (overclock).
DDR3: es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos cuatro veces más rápido, lo que permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GiB. También proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.
Muchas de las placas base que se mostraron en Computex 2007, basadas en los nuevos chipsets P35, ahora utilizan la tecnología DDR3.
Se prevé que la tecnología DDR3 puede ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficaces.
RDRAM:
La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.
El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.
Características RDRAM:
Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho de palabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y también trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 Mhz virtuales o equivalentes; este conjunto le da un amplio ancho de banda. Por eso, a pesar de diseñarse como alternativa a la SDR SDRAM, se convirtió en competidora de la DDR SDRAM.
En la época en la que se diseñaron suspusieron un gran reto para los ingenieros, debido principalmente a la necesidad de utilizar chips estables a alta frecuencia, lo que requería un silicio especialmente puro y que encareció el precio de las memorias por encima de sus competidoras.
Posteriormente nos encontramos que la frecuencia principal de las RDRAM llegó a los 1200 Mhz, incorporando dos canales RDRAM separados, a 1200 Mhz en un solo módulo RIMM 4800. Además, han pasado de RIMMs de 16 bits a conseguir módulos de 32 y 64 bits.
XDR DRAM:
XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento.
Esta tecnología elimina la inusual alta latencia que plagaba a su predecesor RDRAM. XDR, también se centra en el ancho de banda soportado pos sus pines, lo que puede beneficiar considerablemente los costos de control en la producción de PCB, esto es debido a que se necesitarían menos caminos (lanes) para la misma cantidad de ancho de banda. Rambus, posee todos los derechos sobre esta tecnología y actualmente esta implementada en la consola de vídeojuegos PlayStation 3.
Actualmente los módulos XDR soportan una capacidad máxima de 1 GB.
XDR2 DRAM es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámico que se ofrece por Rambus. Se anunció el 7 de julio de 2005 [1] y la especificación de que fue lanzado el 26 de marzo de 2008. [cita requerida] Rambus ha diseñado XDR2 como una evolución de, y el sucesor, XDR DRAM.
DRAM XDR2 está diseñado para uso en los gráficos de gama alta de tarjetas y equipos de red.
Como compañía de semiconductores, Rambus sólo produce un diseño, sino que debe llegar a acuerdos con los fabricantes de memoria para producir chips DRAM XDR2, y ha habido una notable falta de interés en hacerlo [2].
Además de una frecuencia más alta (hasta 800 MHz), los datos XDR2 diferencial de las líneas de transferencia de datos a 16 veces la velocidad del reloj del sistema, la transferencia de 16 bits por pasador por ciclo de reloj. Este "Hex Data Rate" es el doble de 8 × XDR es multiplicador. El tamaño de la explosión de base también se ha duplicado.
A diferencia de XDR, comandos de la memoria también se transmiten a través de vínculos diferenciales de punto a punto en este tipo de datos de alta. El autobús comando varía entre 1 y 4 bits de ancho. A pesar de que cada bit requiere 2 cables, esto sigue siendo inferior a la petición del autobús 12-XDR de alambre, pero debe crecer con el número de fichas dirigidas.
4.DRDRAM :
funciona más como un bus interno de un subsistema de memoria convencional. Se basa en lo que se llama el canal Direct Rambus, un bus de 16 bits de alta velocidad de circulación a una velocidad de reloj de 400 MHz. Al igual que con DDR SDRAM, las transferencias se realizan en los bordes de subida y bajada del reloj, dando un ancho de banda efectivo teórico de aproximadamente 1,6 Gbytes por segundo. Este es un enfoque totalmente diferente a la memoria de forma es en la actualidad acceso a través de un bus de memoria de ancho de 64 bits. Puede parecer contraproducente para estrechar el canal ya que reduce el ancho de banda, sin embargo, el canal es entonces capaz de funcionar a velocidades mucho más altas que sería posible si el autobús fueron amplios. Al igual que con SDRAM, DRDRAM hace uso de una serie de detectar la presencia (SPD) de chips para contar las características de la placa base cierta del módulo DRDRAM cuando se arranca el sistema. DRDRAM es propiedad y está diseñado para utilizar un tipo especial de módulo llamado Rambus Inline Memory Module, o RIMM.
4.SLDRAM:
Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono (SLDRAM), o Memoria de acceso al azar dinámica de Synclink, es de alta velocidad memoria de acceso al azar similar a DRDRAM, no obstante sin el diseño propietario. Fue desarrollado por el consorcio de SLDRAM, que consiste en cerca de 20 fabricantes importantes de la industria del ordenador. Es abra el estándar y no requiere los honorarios que licencian que son requeridos por la tecnología de DRDRAM.
Esta tecnología entrega funcionamiento grandemente mejorado sobre SDRAM tecnología sin el uso totalmente de una nueva arquitectura al igual que el DRDRAM. La llamada de las especificaciones para a 64-bit autobús funcionamiento en un reloj de 200 megaciclos frecuencia. Esto es alcanzada por todas las señales que están en la misma línea y de tal modo que evitan la época de sincronización de líneas múltiples. Como DDR SDRAM, SLDRAM puede funcionar en dos veces la tarifa de reloj del sistema que le da una velocidad eficaz de 400 megaciclos.
6.SRAM
Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.
Usos de las SRAM
- como producto de propósito general:
- con interfaces asíncronas como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados XXC256), y productos similares que ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip.
- con interfaces síncronas, principalmente como caches y otras aplicaciones que requieran transferencias rápidas, de hasta 18Mbit por chip.
- integrados en chip:
SYNC RAM
La ram estática síncrona a ráfagas ofrece datos de modo síncrono con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a ráfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema está en velocidades de reloj superiores a los 66Mhz, puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es significativamente mas lento que la memoria Pipelined Burst SRAM. Éstos módulos de memoria casi se dan por muertos porque se fabrican en pocas cantidades y su precio es realmente elevado.
PIPELINED SRAM
Se trata del tipo de memoria empleada en los módulos caché actuales. Se trata de memoria estática pero que funciona a ráfagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de lectura a memoria. Se trata de la memoria caché mas rápida de la actualidad, con soporte para los nuevos buses a 75Mhz o superiores (se habla de 133Mhz). Los tiempos de acceso son algo lentos (3-1-1-1 ciclos máquina) pero se compensa con la velocidad de acceso, que suele ser de 4.5 a 8 nanosegundos.
7.
EDRAM:
eDRAM significa "DRAM integrado", basado en un condensador de memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en el mismo chip como un ASIC o el procesador. El coste por bit es mayor que el de los chips DRAM independientes, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la eDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa.
Incorporación de la memoria en el procesador ASIC o permite autobuses mucho más amplia y mayores velocidades de operación, y debido a la densidad mucho más alta de DRAM en comparación con SRAM, mayores cantidades de memoria se puede instalar en pequeñas fichas si eDRAM se utiliza en lugar de eSRAM. eDRAM requiere pasos adicionales en comparación con el proceso de fab SRAM integrado, lo que eleva los costos, pero el ahorro área de 3X de las compensaciones de memoria eDRAM el coste del proceso cuando una cantidad significativa de memoria se utiliza en el diseño.
recuerdos eDRAM, como todas las memorias DRAM, requieren actualizar periódica de las células de memoria, lo que añade complejidad. Sin embargo, si el controlador de refrescar la memoria está integrado junto con la memoria eDRAM, el resto de la ASIC puede tratar la memoria como un tipo SRAM simples como en 1T-SRAM.
eDRAM se utiliza en POWER7 IBM procesador [1] y en el juego de las consolas y otros dispositivos, incluyendo Sony PlayStation 2, PlayStation Portable de Sony, Nintendo GameCube de Nintendo, la Wii de Nintendo, el iPhone de Apple Inc. 's, Microsoft Zune de alta definición, y Xbox 360 de Microsoft.
8.
ESDRAM:
Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, puediendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hast 3,2 GB/s. El problema es el mismo que el de las dos anteriores, la falta de apoyo, y en este caso agravado por el apoyo minoritario de ALPHA, VLSI, IBM y DIGITAL. memoria DRAM.
9.VRAM:
Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported.
En un principio (procesadores de 8 bits) se llamaba así a la memoria sólo accesible directamente por el procesador gráfico, debiendo la CPU cargar los datos a través de él. Podía darse el caso de equipos con más memoria VRAM que RAM (como algunos modelos japoneses de MSX2, que contaban con 64 KiB de RAM y 128 KiB de VRAM).
10.
SGRAM:
es un tipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bit masking (escribir en un bit específico sin afectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM es de un solo puerto. De todas maneras, puede abrir dos páginas de memoria como una, simulando el doble puerto que utilizan otras tecnologías RAM.
Tiene mejores características que las FPM, EDO, VRAM, WRAM y SDRAM.
Las SGRAM y las SDRAM se volvieron los tipos de DRAM más populares a finales de los 90 y principios del año 2000.
11.
WRAM:
Es con puerto dual y difiere brevemente de la anterior, es mejorada, se la activa o desactiva según la placa de video instalada.
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